차세대 반도체 기술로 주목받는 자기저항 메모리 분야에서 국내 기업이 또다시 기술 우위를 입증했다. 기존 8나노미터 기술을 발표한 지 4개월 만에 더욱 진보된 5나노미터급 핵심 기술 개발에 성공하며 글로벌 경쟁에서 앞서 나가고 있다.
관련 업계 소식통에 따르면, 국내 연구진은 오는 14일 미국 하와이에서 개최되는 반도체 분야 권위 있는 국제 학회에서 이번 연구 성과를 공개할 예정이다. 이번에 개발된 기술은 칩을 이루는 가장 작은 구성 요소 단위를 세계 최초로 5나노미터 수준으로 구현한 것이다.
자기저항 메모리란?
전자가 지닌 자석 성질을 이용해 데이터를 저장하는 혁신적인 메모리 기술이다. 기존 디램과 유사한 빠른 처리 속도를 제공하면서도, 전원이 꺼져도 정보가 유지되어 전력 소모와 열 발생을 대폭 줄일 수 있다. 동시에 낸드플래시처럼 데이터를 영구 보존할 수 있는 장점을 갖췄다.
특히 자동차용 메모리 분야에서 높은 관심을 받고 있다. 전력 효율성과 내구성이 핵심인 차량 환경에 최적화된 기술로 평가받기 때문이다.
5나노미터는 현재 최첨단 공정인 8나노미터보다 한층 발전된 수준이다. 국내 기업은 2018년 28나노미터, 2024년 14나노미터급 양산에 이어 올해 2월 국제 학회에서 8나노미터 기술을 세계 최초로 선보인 바 있다.
이번에 개발된 5나노미터 기술은 영하 40도에서 영상 150도에 이르는 극한 온도 환경에서도 안정적으로 작동하는 것으로 확인됐다. 이는 자동차용 반도체가 요구하는 엄격한 내구성 기준을 충족하는 수준이다.
개발사 측은 “누설 전류 등 핵심적인 기술적 난제를 해결해 차량용 반도체 표준 요구사항을 만족하는 5나노미터급 메모리 구현이 가능해졌다”고 설명했다. 이를 토대로 본격적인 칩 개발을 진행해 내년까지 5나노미터 양산 기술을 완성할 계획이다.
현재 자기저항 메모리는 기존 디램의 전력 및 발열 문제를 해결할 차세대 기술로 주목받으며 글로벌 기업 간 경쟁이 격화되고 있다. 특히 대만의 주요 파운드리 업체가 지난해 12나노미터 기술을 개발한 후, 8나노미터를 건너뛰고 바로 5나노미터 개발에 뛰어들면서 양대 위탁생산 업체 간 경쟁이 치열해진 상황이다.
시장 분석 기관에 따르면, 지난해 자기저항 메모리 시장에서 국내 기업이 14.3%의 점유율로 1위를 차지했으며, 대만 업체가 11.9%로 2위를 기록했다.