🔹 차세대 AI 메모리 기술, 세계 최초 샘플 공급
삼성전자가 차세대 인공지능 메모리인 HBM4E 12단 시제품을 세계에서 가장 먼저 고객사에 전달하며 AI 메모리 시장에서의 입지를 더욱 강화했습니다.
이번 샘플 공급은 당초 계획보다 한 분기 앞당겨진 것으로, 지난 2월 HBM4를 업계 최초로 대량 생산한 데 이어 다시 한번 기술력을 입증한 것으로 평가받고 있습니다.
■ 성능과 용량, 모두 대폭 향상
이번에 공개된 제품은 10나노급 6세대 D램과 자체 개발한 4나노미터 공정 기술이 적용되었습니다. 데이터 처리 속도는 초당 최대 16기가비트로, 이전 제품보다 20% 이상 빨라졌습니다.
• 대역폭: 초당 4테라바이트 수준
• 용량: 48기가바이트 (이전 대비 30% 이상 증가)
• 발열 및 전력 효율 개선
■ 기술 경쟁력의 비결
빠른 샘플 출하가 가능했던 배경에는 지난해 하반기부터 진행된 공정 안정화 작업이 자리하고 있습니다. 초미세 공정의 수율과 성능을 최대한 끌어올린 결과입니다.
특히 경쟁사들이 외부 업체에 의존하는 것과 달리, 메모리 하단부에 자체 4나노미터 공정을 적용해 정보 처리 속도를 한층 차별화했습니다.
▸ 하이브리드 본딩 기술 도입 예정
앞으로는 칩과 칩 사이의 간격을 없애 전체 두께를 줄이면서도 전기 배선을 늘리는 하이브리드 본딩 공정을 업계 최초로 적용할 계획입니다. 이는 고층 구조에서 발생하는 발열과 성능 저하 문제를 해결할 핵심 기술로 주목받고 있습니다.
■ 원스톱 공급 체계로 차별화
메모리 제조부터 파운드리, 첨단 패키징까지 모든 과정을 자체적으로 처리할 수 있는 능력은 삼성전자만의 독보적인 경쟁력입니다.
최근 AI 메모리 시장은 표준 제품 중심에서 고객 맞춤형 솔루션 중심으로 빠르게 변화하고 있으며, 이러한 흐름 속에서 통합 공급 능력은 더욱 중요해지고 있습니다.
현재 차세대 제품인 HBM5 개발도 진행 중이며, 지속적인 기술 혁신을 통해 시장 선도를 이어갈 전망입니다.